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英特尔美光公布新存储芯片 速度是现有闪存千倍

英特尔美光公布新存储芯片 速度是现有闪存千倍
更新时间:2015-7-29 15:09:17  
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北京时间7月29日消息,据《华尔街日报》网络版报道,英特尔和美光科技在周二宣布,他们已开发出了一种新型存储芯片,能够大幅提升计算机、智能机以及其它类型高科技产品的性能。
  
  英特尔和美光称,他们计划在明年开始销售这种芯片。该芯片的速度最高可达到当前多数移动设备所用NAND闪存芯片的1000倍,可存储的数据容量是主流DRAM内存芯片的10倍。
  
  这项技术名为3DXpoint,虽然处理速度上还无法十分接近DRAM芯片,但是像NAND闪存芯片一样,即便在断电后它仍可以保存数据。英特尔和美光并未披露太多关于3DXpoint的技术细节,包括他们使用的关键材料,但表示使用了一种独特方式来存储数据。
  
  英特尔和美光高管预计,新芯片的速度将催生新型应用,令业界受益匪浅,特别是那些功能模式建立在大量数据基础之上的应用,比如语音识别、金融诈骗侦测以及基因组学。
  
  “这确实是一项革命性技术,”美光CEO马克·德肯(MarkDurcan)周二在技术发布活动上表示。英特尔高级副总裁鲍勃·克鲁克(RobCrooke)称:“这是一项很多人认为不可能实现的技术。”
  
  但是这项新技术的重要性和独创性可能保守争议。近几年来,很多其他公司都已经宣布在存储芯片开发上取得了重要进展。创业公司Crossbar战略营销和商业开发副总裁萨尔文·杜波斯(SylvainDubois)表示,英特尔和美光似乎仿效了其电阻式RAM技术的元素。“这听起来非常像我们已拥有的技术,”杜波斯称。
  
  EverspinTechnologies等其他公司也相信,他们在为稳定数据存储芯片提供DRAM级速度上已抢占先机。
  
  英特尔和美光计划初期生产能够存储128Gb数据的双层芯片(two-layerchip),这一存储容量和现有的部分NAND芯片相当。随着在芯片中堆叠更多电路,英特尔和美光计划在日后提升芯片的存储容量。
  
  参加该技术发布活动的分析师周二表示,硬件设计商需要时间来决定如何或是否使用这项技术。英特尔和美光称,现有技术为产品提供的速度提升远小于新型芯片。

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